Patents

International Patent Enrollment

2020
  • C. J. Lee, S. H. Lee, J.-S. Han, “CARBON NANOTUBE ELECTRON EMITTER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND X-RAY SOURCE USING THE SAME”, USA, 10529525, 2020.01.07
  • C. J. Lee, S. H. Lee, J.-S. Han, “CARBON NANOTUBE ELECTRON EMITTER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND X-RAY SOURCE USING THE SAME”, USA, 10566167, 2020.02.18
2018
  • C. J. Lee, Y. Sun, D. H. Shin, K. N. Yun, “Electron Emitting Device Using Graphite Adhesive Material And Manufacturing Method For The Same “, USA, 10049847, 2018.08.14
2016
  • C. J. Lee, D. H. Shin, J. H. Shin, “Electric Field Emitting Source, Element Using Same, And Production Method Therefor “, USA, 9269522, 2016.02.23
2015
  • C. J. Lee, D. H. Shin, “Lateral Field Emission Device”, USA, 9099274, 2015. 08. 04
2013
  • C. J. Lee, S. I. Jung, “Electron emission source, device adopting the source and fabrication method the source”, USA, 8513870, 2013. 08. 20
2012
  • C. J. Lee, S. K. Kim, “Method of forming electronic material layer and method of manufacturing electronic device using the method of forming electronic material layer”, USA, 8137740, 2012. 03. 20
  • C. J. Lee, S. I. Jung, G. Chen, “SURFACE FIELD ELECTRON EMITTERS USING CARBON NANOTUBE YARN AND METHOD FOR FABRICATING CARBON NANOTUBE YARN THEREOF”, USA, 8193692, 2012. 06. 05
  • C. J. Lee, S. I. Jung, “Electron emission source, device adopting the source and fabrication method the source”, European Patent, 2096659, 2012. 12. 26
2011
  • C. J. Lee, S. I. Jung, “Electron Emission Source, Electric Device Using The Same, And Method Of Manufacturing The Electron Emission Source”, Japan 4843001, 2011. 10. 14
  • C. J. Lee, S. K. Kim, S. M. Park, “Carbon Nano Tube Thin Film Transistor and Display Adopting the Same”, USA, 371966, 2011. 11. 08
2009
  • C. J. Lee,”Vapor Phase Synthesis of Double-walled Carbon Nanotubes”, USA 7531158, 2009. 5. 12
  • C. J. Lee,“Vapor phase synthesis of double-walled carbon nanotubes”, Japan 4378350, 2009. 9. 18
2005
  • C. J. Lee and J. E. Yoo, “Method for synthesizing vertical arrangement high-purity carbon nanometer tube in large-scale on large size substrate using hot CVD method”, China 1189390, 2005. 2. 16
2003
  • C. J. Lee and J. E. Yoo, “Mass purification method of carbon nanotubes”, Japan 3388222, 2003. 1. 10
  • C. J. Lee and J. E. Yoo, “White light source using carbon nanotubes and fabrication method therof”, USA 6514113, 2003. 2. 4
  • C. J. Lee and J. E. Yoo, “Mass synthesis method of high purity carbon nanotubes vertically aligned over large-size substrate using thermal chemical vapor deposition”, Japan 3442032, 2003. 6. 20
  • C. J. Lee and J. E. Yoo, “Low-temperature synthesis of carbon nanotubes using metal catalyst layer for decomposing carbon nanotubes source gas”, Japan 3442033, 2003. 6. 20
2002
  • C. J. Lee and J. E. Yoo, “Mass synthesis method of high purity carbon nanotubes vertically aligned over large-size substrate using thermal chemical vapor deposition”, USA 6350488, 2002. 2. 26
1991
  • C. J. Lee and E. S. Kim, “Method of preventing residue on an insulator layer in the fabrication of a semiconductor device”, USA 4990467, 1991. 2. 5

Domestic Patent Enrollment

2019
  • 이철진, 이상헌, 한준수, “탄소나노튜브 전자방출원, 그 제조 방법 및 이를 이용하는 엑스선 소스”, 국내특허 제1982289호, 2019. 05. 20
2017
  • 이철진, 신동훈, 윤기남, 손우녕 “그래파이트 접착 물질을 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조 방법”, 국내특허 제1700810호, 2017.01.23
2016
  • 이철진, 신동훈, 윤기남, “전자방출원, 어레이형 전자방출원, 전자방출소자 및 그 제조방법”, 국내특허 제1686189호, 2016.12.07
2015
  • 이철진, 송예난, 윤기남, “전계 방출 소자, 페이스트 제조방법 및 박막 형성방법”, 국내특허 제1564456호, 2015.10.23
2014
  • 이철진, 신창환, 신동훈, 윤기남, “수직형 진공 전자 소자, 그 제조방법 및 집적 소자”, 국내특허 제1455262호, 2014.10.21
  • 이철진, 신동훈, 윤기남, “수직형 진공 전자 소자, 그 제조방법 및 집적 소자”, 국내특허 제1438733호, 2014.09.01
2013
  • 이철진, 신동훈, 신지홍, “전계 방출원 및 이를 적용하는 소자 및 그 제조방법”, 국내특허 제1239395호, 2013.02.26
2012
  • 이철진, 신동훈, “전자방출원 및 그 제조 방법”, 국내특허 제1106121호, 2012.01.09
  • 이철진, 최지훈, 최상규, 노진우, 장동규, “촉매 화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브 합성방법 및 그 장치”, 국내특허 제1158056호, 2012.06.13
  • 이철진, 신동훈, “횡형 전계 방출 소자”, 국내특허 제1165809호, 2012.07.09
  • 이철진 코이자이자노바 라우산 비. 황두희 윤기남, “탄소나노튜브의 N형 도핑 및 전자소자 제작”, 국내특허 제1209168호, 2012.11.30
2011
  • 이철진, 김광섭, 정승일, “전자 방출원의 제조 방법”, 국내특허 제 1013604호, 2011.01.31
  • 이철진, 박상민, 김선국, “CNT 박막트랜지스터 및 이를 적용하는 디스플레이”, 국내특허 제 1022493호, 2011.03.08
  • 이철진, 박상민, 김선국, “CNT 박막 트랜지스터 및 이를 적용하는 디스플레이”, 국내특허 제 1022494호, 2011.03.08
  • 이철진, 김광섭, “전자 방출원”, 국내특허 제 1046775호, 2011.06.29
  • 이철진, 정승일, 진국해, “탄소나노튜브 얀을 이용한 표면 전계전자 방출원 및 이에 이용되는 탄소나노튜브 얀 제조방법”, 국내특허 제 1082678호, 2011.11.04
  • 이철진, 정승일, 신동훈, “전자 방출원의 제조방법, 이를 적용한 전자소자 및 디스플레이의 제조방법”, 국내특허 제 1093136호, 2011.12.06
  • 이철진, 정승일, 신동훈, “전자 방출원의 제조방법 및 이를 적용한 전자소자의 제조방법”, 국내특허 제 1094453호, 2011.12.08
  • 이철진, 최상규, 최지훈, 노진우, “촉매 제조 방법 및 탄소나노튜브의 합성방법”, 국내특허 제 1094454호, 2011.12.08
2010
  • 이철진, 정승일, “가요성 전자발광 소자 및 이를 응용한 디스플레이 및 그 제조 방법”, 국내특허 제 0977312호, 2010. 08. 16
  • 이철진, 윤호규, 김우년, 김웅, 박종래, 박민, 장지영, 주진수, 이건웅, 김규태, 이준엽, 김현재, 박상민, 김선국, “가요성 투명박막트랜지스터”, 국내특허 제 0982956호, 2010. 09. 13
  • 이철진, 김광섭, “전자 방출원의 제조방법”, 국내특허 제 0990231호, 2010. 10. 20
  • 이철진, 김광섭, “젤 상태의 전도성 물질을 이용한 전계전자방출원 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 전계전자방출소자”, 국내특허 제 0993090호, 2010. 11. 02
2009
  • 이철진, 강득주, “소수벽 다층 탄소나노튜브 합성을 위한 졸겔 공법을 이용한촉매제조방법 및 이를 사용한 탄소나노튜브 대량합성방법”, 국내특허 제 0901735호, 2009. 6. 2
  • 이철진, 정승일, “전자방출원, 이를 적용한 전자장치 및 전자방출원의제조방법”, 국내특허 제 0922399호, 2009. 10. 12
2008
  • 이철진, 전경용, “탄소나노튜브의 절단 방법 및 그로부터 제조된 탄소나노튜브 “, 국내특허 제 10-0839223, 2008. 06. 11
2007
  • 이철진, 전경용, “급속열화학기상증착법을 이용한 액상 촉매 전구체로부터의 탄소나노튜브의 제조방법”, 국내특허 제 10-0791638호, 2007. 12. 27
2006
  • 임영경, 한영환, 이병철, 정영욱, 박성희, 이철진, 이태재, “전계방출팁을 이용한 저에너지 대면적 전자빔 조사장치”, 국내특허 제 0577473호, 2006. 4. 28
  • 이철진, “기상합성법에 의한 단일벽 탄소나노튜브의 대량 합성 방법”, 국내특허 제 0596676호, 2006. 6. 27
  • 이철진, “기상합성법에 의한 이중벽 탄소나노튜브의 대량 합성 방법”, 국내특허 제 0596677호, 2006. 6. 27
2003
  • 이철진, 유재은, “확산로에서의 열처리를 이용한 탄소나노튜브의 가스상 정제 방법”, 국내특허 제 0372331호, 2003. 2. 3
  • 이철진, 유재은, “열 화학기상증착법에 의한 대면적 기판위에 수직 정렬된 고순도 탄소나노튜브의 대량 합성 방법”, 국내특허 제 0372332호, 2003. 2. 3
  • 이철진, 유재은, “저압 화학기상증착 방법을 이용한 탄소나노튜브의 합성방법”, 국내특허 제 0372333호, 2003. 2. 3
  • 이철진, 유재은, “플라즈마 화학기상증착 방법을 이용한 탄소나노튜브의 합성 방법”, 국내특허 제 0372334호, 2003. 2. 3
  • 이철진, 유재은, “촉매금속 미세 패턴들을 이용하여 탄소나노튜브의 직경을 조절하는 합성법”, 국내특허 제 0372335호, 2003. 2. 3
  • 이철진, 유재은, “탄소나노튜브의 팁 오픈 방법 및 정제방법”, 국내특허 제 0374972호, 2003. 2. 21
  • 이철진, 유재은, “탄소소오스 가스 분해용 촉매금속막을 이용한 탄소나노튜브의 저온 합성 방법”, 국내특허 제 0376197호, 2003. 3. 4
  • 이철진, 유재은, “수직배향된 탄소나노튜브를 이용한 전계방출 표시소자 및 그 제조 방법”, 국내특허 제 0376198호, 2003. 3. 4
  • 이철진, 이영희, “탄소나노튜브를 이용한 수직형 스위칭소자의 제작”, 국내특허 제 0376199호, 2003. 3. 4
  • 이철진, 한종훈, 유재은, “탄소나노튜브 또는 탄소나노섬유 합성용 기상합성장치 및 이를 사용한 합성방법”, 국내특허 제 0376202호, 2003. 3. 4
  • 이철진, 유재은, “고순도 탄소나노튜브의 합성 방법”, 국내특허 제 0382878호, 2003. 4. 22
  • 이철진, 유재은, “고순도의 탄소나노튜브를 합성하는 방법”, 국내특허 제 0385867호, 2003. 5. 19
  • 이철진, 유재은, 조영상, “탄소나노튜브를 이용한 백색 광원 제조 방법”, 국내특허 제 0396436호, 2003. 8. 20
2002
  • 이철진, 이영희, “실리콘 기판을 이용한 미세 메쉬 제조 방법”, 국내특허 제 0327600호, 2002. 2. 23
  • 이철진, 이영희, 남기석, “탄소나노튜브를 이용한 니켈-탄소나노튜브 2차 전지의 전극 제조 방법”, 국내특허 제 0327970호, 2002. 2. 26
  • 이철진, 유재은, “저온 열 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브의 저온 합성 방법” 국내특허 제 0334351호, 2002. 4. 15
  • 이철진, 유재은, “탄소나노튜브를 이용한 전계방출 표시소자의 제조방법”, 국내특허 제 0335385호, 2002. 4. 22
  • 이철진, 유재은, “화학기상증착 장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브 합성 방법”, 국내특허 제 0345079호, 2002. 7. 5
  • 이철진, 한종훈, 유재은, “탄소나노튜브 또는 탄소나노섬유 합성용 기상합성장치 및 이를 사용한 합성 방법”, 국내특허 제 0360686호, 2002. 10. 29
  • 이철진, 유재은, “탄소나노튜브를 이용한 전계방출 표시소자의 제조방법”, 국내특허 제 0362899호, 2002. 11. 16
  • 이철진, 유재은, “탄소나노튜브의 대량 정제 방법”, 국내특허 제 0364095호, 2002. 11. 26
  • 이철진, 유재은, “벨트 장착 저온 열화학기상증착장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브의 합성 방법”, 국내특허 제 0366809호, 2002. 12. 17
  • 이철진, 유재은, “탄소나노튜브의 합성 방법 및 그를 위한 벨트형 열화학기상증착장치”, 국내특허 제 0366810호, 2002. 12. 17
  • 이철진, 유재은, “탄소나노튜브 합성용 다중 진공챔버 플라즈마 화학기상증착장치 및 이 장치를 이용한 탄소나노튜브 합성방법”, 국내특허 제 0367455호, 2002. 12. 24
2001
  • 이철진, 이영희, “미세구멍을 이용한 탄소나노튜브 전계방출표시(FED)소자의 제조방법”, 국내특허 제 0299868호, 2001. 6. 12
  • 이철진, 이영희, “선택적 성장을 이용한 탄소나노튜브 전계방출표시(FED)소자의 제조방법”, 국내특허 제 0299869호, 2001. 6. 12
  • 이철진, 이영희, “실리콘 기판에서 탄소나노튜브의 선택적 성장을 이용한 광전자소자 제조방법”, 국내특허 제 0303294호, 2001. 7. 10
  • 이철진, 이영희, “탄소나노튜브의 선택적 성장을 이용한 수직형 스위칭소자의 제작”, 국내특허 제 0320136호, 2001. 12. 26
1991
  • 이철진, 류지효, 김의송, 박승갑, ” 금속막의 힐록생성억제를 위한 반도체장치의 제조방법”, 국내특허 제 39241호, 1991. 1. 22
1990
  • 이철진, 김의송,” 반도체장치의 층간절연막의 리플로우법”, 국내특허 제 31970호, 1990. 3. 2
  • 이철진, 김원주, 이수천, 류지효,” 반도체장치의 폴리사이드 구조 제조방법”, 국내특허 제 31979호, 1990. 3. 2